Samsung Electronics は、米国カリフォルニア州サンタクララで 2018 年 5 月 22 日 (現地時間) に開催したファウンドリー技術の年次フォーラムで、FinFET の後継アーキテクチャとされる GAA (Gate All Around) トランジスタを 2021 年に 3nm ノードで量産する計画を発表した。 [続きを読む]