2019/03/28 シェア 三菱電機、耐圧 1200V の SiC パワー半導体を開発 三菱電機は、SiC (炭化ケイ素) を用いた耐圧 1200V のパワー半導体「1200V SiC-SBD」5 タイプを開発した。EV 用充電器の電源システム用途などに向ける。 [続きを読む] 提供元 : TechFactory
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