業界ニュース

2018/12/28

高密度化と大容量化の限界はまだ見えない

「3D NAND のスケーリング」シリーズの最終回となる今回。前半では、3D NAND フラッシュのメモリセルアレイ以外の部分でシリコンダイ面積を削減する手法を解説し、後半では、3D NAND フラッシュの高密度化と大容量化を支える技術のロードマップを紹介する。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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