2020/07/03 シェア 車載など向けの低オン抵抗 650V GaN FET Nexperia は、次世代 GaN 技術を採用した 650V GaN FET「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」を発表した。安定性とスイッチング性能、オン状態の性能に優れ、オン抵抗はそれそれ最大 41m Ω、最大 39m Ωに抑えている。 [続きを読む] 提供元 : EDN Japan
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