業界ニュース

2018/11/05

高アスペクト比の細長い孔をハードマスクによって形成 (続き)

前回に続き、3D NAND フラッシュ製造におけるキープロセスの 1 つ、「高アスペクト比 (HAR:High Aspect Ratio) のパターン形成」を取り上げる。今回は、同技術の異方性エッチングについて解説する。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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