三菱電機は、SiC を用いた 1200V 耐圧パワー半導体「1200V SiC-SBD」5 タイプを発表した。Si ダイオードと比べてスイッチング損失を大幅に削減し、電力損失を約 21% 低減する。また、JBS 構造の採用によりサージ電流耐量が高く、信頼性に優れる。 [続きを読む]