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セミナー情報

2026/01/14

パワーデバイス(基礎編)～演習問題を通して半導体物理の基礎、動作原理、デバイス特性を徹底理解する～ / 日本パワーエレクトロニクス協会

主催会社 日本パワーエレクトロニクス協会
イベント名 パワーデバイス（基礎編）～演習問題を通して半導体物理の基礎、動作原理、デバイス特性を徹底理解する～
開催日時 2026年1月14日　
10:00～17:00
開催会場 オンライン
参加費 ￥49,500（税抜）
内容
特徴
  • 難解な半導体物性の基礎を、概念図と最小限の数式で解説し、演習を通して習得します。これをベースにデバイスの説明を受けることで、動作原理と特性が確実に理解できます。
  • 各パワーデバイスの説明では、構造、動作原理、特性の順に説明し、最後に実デバイスの測定結果を示すことでパワーデバイスの理解を深めます
  • パワーエレクトロニクスで重要なダイオード、Si MOSFET、Si IGBT、GaN及びSiCデバイスを取り上げます。
プログラム
  1. パワーデバイスの概要
  2. 半導体の物性
  3. ２端子パワーデバイスと耐圧
  4. MOSFETとIGBT
  5. ワイドギャップ半導体（SiC、GaN）とデバイス損失
主催者の申し込み
ページ		 以下のリンク先からお申し込みください
パワーデバイス（基礎編）～演習問題を通して半導体物理の基礎、動作原理、デバイス特性を徹底理解する～
対象
  • パワエレ回路の設計者
  • これから、パワーデバイス、パワエレ回路を設計する方
  • 半導体物性を理解して、回路設計に従事したいと思われる方
  • MOSFET、IGBTの特性を理解し、積極的にパワーエレクトロニクス回路に積極的に活用しようとしている方
  • ワイドバンド半導体GaN、SiCの特性（耐圧、低ＯＮ抵抗）に関心があり、活用を検討している方
  • パワーデバイスを学ぼうとして、難解な半導体物性で躓いた方
その他
当日までのご準備
  • Webセミナーアプリ（Zoom）のインストール
  • Excelのインストール
当日の持ち物
  • マイク機能付きパソコン
  • 講義資料（事前に協会より郵送します。）
  • 筆記用具

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