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セミナー情報

2025/07/04

パワーデバイス(基礎編)～演習問題を通して半導体物理の基礎、動作原理、デバイス特性を徹底理解する～

主催会社 日本パワーエレクトロニクス協会
イベント名 パワーデバイス（基礎編）～演習問題を通して半導体物理の基礎、動作原理、デバイス特性を徹底理解する～
開催日時 2025年7月4日　
10:00～17:00
開催会場 WEBセミナー
参加費 49,500円 （税込）
内容
特長
  • 難解な半導体物性の基礎を、概念図と最小限の数式で解説し、演習を通して習得します。これをベースにデバイスの説明を受けることで、動作原理と特性が確実に理解できます。
  • 各パワーデバイスの説明では、構造、動作原理、特性の順に説明し、最後に実デバイスの測定結果を示すことでパワーデバイスの理解を深めます。
  • パワーエレクトロニクスで重要なダイオード、Si MOSFET、Si IGBT、GaN及びSiCデバイスを取り上げます。
学べること
  • パワーデバイスの物性や特性の理解ができる
  • 従来のSi半導体や次世代のワイドバンドギャップ半導体のデバイスの損失が計算できる
プログラム
  1. パワーデバイスの概要
  2. 半導体の物性
  3. ２端子パワーデバイスと耐圧
  4. MOSFETとIGBT
  5. ワイドギャップ半導体（SiC、GaN）とデバイス損失
主催者の申し込み
ページ		 以下のリンク先からお申し込みください パワーデバイス（基礎編）～演習問題を通して半導体物理の基礎、動作原理、デバイス特性を徹底理解する～
対象 パワエレ回路の設計者
これから、パワーデバイス、パワエレ回路を設計する方
半導体物性を理解して、回路設計に従事したいと思われる方
MOSFET、IGBTの特性を理解し、積極的にパワーエレクトロニクス回路に積極的に活用しようとしている方
ワイドバンド半導体GaN、SiCの特性（耐圧、低ON抵抗）に関心があり、活用を検討している方
パワーデバイスを学ぼうとして、難解な半導体物性で躓いた方
その他
当日までのご準備
  1. Webセミナーアプリ（Zoom）のインストール
  2. Excelのインストール
    あれば望ましいが、なければ電卓でも可。
当日の持ち物
  1. マイク昨日付きパソコン
  2. 講義資料（事前に協会より郵送します。）
  3. 筆記用具

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日本パワーエレクトロニクス協会
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