2026/07/07 シェア 先端半導体用ゲート酸化膜の不純物が大幅減、効率的な OH ラジカル生成技術確立 明電舎は、ピュアオゾンガスと水蒸気を用いて化学反応性の高い OH ラジカルを効率的に生成する技術を確立した。原子層堆積プロセスへ適用し、先端半導体用ゲート酸化膜の不純物を約 100 分の 1 に低減することに成功した。 [続きを読む] 提供元 : MONOist
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