2026/06/02 シェア パワー半導体量産へ前進 ! 6 インチ Si ウエハー上に r-GeO2 の成膜に成功 Patentix は、6 インチ基板対応の成膜装置を新たに開発し、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜を 6 インチ Si ウエハー上へ成膜することに成功した。 [続きを読む] 提供元 : MONOist
.png)
.png)