2025/08/05 シェア イオン注入により r-GeO2 半導体に n 型導電性を付与することに成功 Patentix は、イオン注入により、r-GeO2 に対して n 型導電性を付与することに成功した。r-GeO2 は、p 型、n 型の両方の導電制御を可能とする次世代パワー半導体材料だ。 [続きを読む] 提供元 : MONOist
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