2025/07/22 シェア 高周波 GaN トランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明 東京大学は、住友電気工業と共同で、窒化スカンジウムアルミニウム (ScAlN) と窒化ガリウム (GaN) のヘテロ接合における二次元電子ガス (2DEG) の散乱機構を解明した。 [続きを読む] 提供元 : MONOist
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