2025/07/01 シェア 振動現象の理論的な再現に成功 不揮発性磁気メモリの性能向上に貢献 物質・材料研究機構は、トンネル磁気抵抗で電気抵抗の変化率が振動する現象を、理論的に解明した。磁性層と絶縁層の界面における波動関数の重ね合わせを取り入れることで、振動現象の理論的な再現に成功した。 [続きを読む] 提供元 : MONOist
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