2024/09/30
ST マイクロが第 4 世代 SiC-MOSFET を発表、第 5 世代以降のロードマップも
ST マイクロエレクトロニクスが従来と比べて電力効率や電力密度、堅牢性を大幅に向上する第 4 世代 SiC-MOSFET を発表。2025 年第 1 四半期以降に提供を開始する予定で、その後 2027 年に向けてプレーナー構造をベースにした第 5 世代の開発や、高温動作時に極めて低いオン抵抗を実現する技術の導入などを進めていく方針である。 [続きを読む]
提供元 : MONOist