2023/03/15 シェア EV のパワー半導体を高出力化する第 3 世代 SiC ハイグレードエピウエハーを開発 レゾナックは、SiC エピタキシャルウエハーの第 3 世代ハイグレード品を開発した。新構造のエピタキシャル技術で電流密度が向上しており、高価格帯 EV や鉄道向けパワー半導体の高出力化と省スペース化の両立に貢献する。 [続きを読む] 提供元 : MONOist