東芝デバイス & ストレージ (以下、東芝 D&S) は、トレンチゲート型炭化ケイ素 (SiC) MOSFET において、長期間使用によるゲートしきい値電圧の変動を抑える技術を開発したと発表した。市販のトレンチゲート型 SiC MOSFET と比べてゲートしきい値電圧変動を約 50% 低減し、高効率化と長期信頼性の両立に寄与するとしている。 [続きを読む]