名古屋大学らによる ASPIRE (先端国際共同研究推進事業) 国際共同研究グループは、薄膜 p 型窒化ガリウム (p 型 GaN) 表面の平たんさを維持しつつ、低抵抗のオーミック接触を形成する技術を開発した。LED や p 型 GaN ゲート HEMT、HBT など、薄膜 p 型 GaN 層を用いる電子・光デバイスへの応用に期待する。 [続きを読む]