2026/08/12 シェア AlGaN 系紫外半導体レーザーで最高レベルの変換効率を実現 名城大学と三重大学の研究グループは、AlGaN 系 UV-B (紫外線 B 領域) 半導体レーザーの電力/光エネルギー変換効率 (WPE) を高めるためには、「内部光損失」の最小化が重要なことを実験により証明した。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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