2026/07/01 シェア 超 WBG 半導体基板の大口径化へ道筋、東北大 東北大学は、直接窒化法を用い針状の窒化アルミニウム (AlN) 単結晶を育成することに成功した。これを種結晶として溶液成長法により結晶成長させれば、大口径の超ワイドバンドギャップ (WBG) 半導体基板を実現できるとみている。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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