物質・材料研究機構 (NIMS) は、シリコン (Si) ウエハー上に窒化ガリウム (GaN) 成膜を行うため、「アモルファスライク中間層 (AL-IL)」と呼ぶバッファ層を形成する技術を開発した。安価な Si ウエハー上に縦型 GaN デバイスを作製するための基盤技術となる。 [続きを読む]