量子科学技術研究開発機構 (QST) と兵庫県立大学および高輝度光科学研究センター (JASRI) らによる研究グループは、東京科学大学や NTT と共同で、レーザー光パルス照射により、電子スピンの向きを書き換えることができる「磁気メモリ材料」を開発した。電流によって電子スピンの向きを反転させる従来方式に比べ、約 1000 倍も高速な動作が可能となる。 [続きを読む]