SiC MOSFET の採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近い AC 動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧 (Vth) が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価する DGS 試験において、三菱電機は同社 SiC MOSFET の特性変動量が「世界最小クラス」(同社) であることを実証したという。 [続きを読む]