2026/06/04 シェア 1nm 世代以降の集積回路における配線抵抗を低減、慶応大ら 慶應義塾大学と物質・材料研究機構 (NIMS) は、1nm ノード以降の次世代半導体に向けた配線材料に関連する 4 件の研究成果を発表した。研究成果を活用することで、半導体集積回路における配線抵抗を大幅に低減することが可能となる。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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