2026/05/09 シェア ボッシュ、第 3 世代 SiC チップを開発 性能 20% 向上 ボッシュは、同社として第 3 世代となる炭化ケイ素 (SiC) チップを開発し、サンプル出荷を始めた。従来品に比べ性能を 20% 向上させつつ、チップサイズの小型化を図った。製造能力も強化し、ドイツと米国の製造拠点で数十億ユーロを投資する。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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