2026/04/24
GAFAM 半導体開発に寄与 レゾナックが「米国初」後工程特化 R&D 開設
レゾナックは 2026 年 4 月 21 日、日米の半導体材料/装置メーカー 12 社によるコンソーシアム「US-JOINT」の R&D センターを米国シリコンバレーに開設し、コンソーシアムの本格稼働開始を発表した。「米国初」の後工程特化 R&D センターで、シリコンバレー企業の後工程コンセプト検証を 6 カ月から最大 1 カ月に短縮することを目指すという。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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