物質・材料研究機構 (NIMS) や東京大学らの研究グループは、MOCVD (有機金属化学気相成長) 法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン (MoS2)」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で 66cm2/Vs、20K で 749cm2/Vs を達成した。 [続きを読む]