MyAssets 計測器管理を、もっと簡単に、もっと便利に

業界ニュース

2025/12/16

SiC と Si やサファイアを常温接合、「ほぼ不可能」を独自技術で実現

SHW Tech は、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素 (SiC) と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiC とシリコン (Si)」および、「サファイアと SiC」の接合を実証した。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

おすすめの記事

新品オシロ・マルチ感謝キャンペーン