NTT は、窒化アルミニウム (AlN) 系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」(同社) 成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム (Al) 組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト 5G 時代の無線通信サービスの向上が期待される。 [続きを読む]