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業界ニュース

2025/12/02

次世代磁気メモリにつながる材料を開発、東京科学大ら

東京科学大学らの研究グループは、ペロブスカイト型酸化物鉄酸ビスマスのビスマス (Bi) と鉄 (Fe) を異種元素に置換することで、「強磁性」と「強誘電性」を併せ持ちながら、温度上昇で収縮する「負の熱膨張」を示す材料を開発した。消費電力が小さく高速アクセスが可能な磁気メモリの開発につながるとみている。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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