信越化学工業は、300mm GaN 専用の成長基板である「QST 基板」を用い、imec が 5 μ m 厚の GaN HEMT 構造を作製し、650V を超える高耐圧を達成した。「SEMI 規格に準拠した 300mm 基板としては世界最高の破壊電圧」(同社) だという。 [続きを読む]