2025/11/05 シェア 0.2V でデータ保持できる新型 CMOS メモリ技術を開発、東京科学大 東京科学大学の菅原聡准教授らによる研究グループは、0.2V という極めて低い電圧でデータを保持できる CMOS メモリ技術を開発した。試作した SRAM マクロは、待機時の電力を不揮発性メモリ並みに削減できるという。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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