東北大学らの研究グループは、垂直磁化の人工反強磁性体薄膜を作製し、細線にパルス状の電流を流したところ、印加する回数に応じで磁石の境界 (磁壁) の位置が移動することを確認し、そのメカニズムを初めて実証した。今回の成果は、省エネルギーで高速動作が可能なスピントロニクスメモリの実現に寄与するとみている。 [続きを読む]