米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業 Vertical Semiconductor が、縦型窒化ガリウム (GaN) トランジスタ開発に向け、1100 万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルの Playground Global が主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。 [続きを読む]