2025/09/04 シェア SiC MOS デバイスの性能を向上し信頼性も大幅改善、大阪大 大阪大学の研究グループは、「高温での希釈水素熱処理」を 2 段階で行う独自の手法を用い、炭化ケイ素 (SiC) MOS デバイスの性能を向上しつつ信頼性の大幅改善に成功した。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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