2025/08/27
AlN 適用の UV-C レーザーダイオード実用化へ 旭化成が ULTEC 設立
旭化成は、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC (ウルテック)」を設立した。窒化アルミニウム (AlN) を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究してきた「深紫外線レーザーダイオード (UV-C LD)」などの早期実用化と市場拡大を目指す。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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