2025/08/22 シェア 室温動作の共鳴トンネルダイオードを試作 名古屋大学は、IV 族混晶半導体のみで高品質の二重障壁構造 (DBS) を形成する技術を開発した。この技術を用い、テラヘルツ (THz) 発振に必要な共鳴トンネルダイオード (RTD) を試作し、室温 (300K) での動作実証に成功した。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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