2025/08/13 シェア スパッタ法で高品質 ScAlN 薄膜の作製に成功 東京理科大学の研究グループは、東京大学や住友電気工業と共同で、汎用性の高いスパッタ法を用い、高品質の窒化スカンジウムアルミニウム (ScAlN) 薄膜を作製することに成功した。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan
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