2025/08/04 シェア Ge 半導体で「電気が流れやすくなる」方法を開発 産業技術総合研究所 (産総研) と東北大学は、電極材料にテルル化ビスマス (Bi2Te3) を用い、この薄膜と n 型 Ge を反応させることで、電子が流れやすい界面を形成することに成功した。エネルギー障壁をこれまでの約半分に低減できるという。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan