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業界ニュース

2025/08/04

Ge 半導体で「電気が流れやすくなる」方法を開発

産業技術総合研究所 (産総研) と東北大学は、電極材料にテルル化ビスマス (Bi2Te3) を用い、この薄膜と n 型 Ge を反応させることで、電子が流れやすい界面を形成することに成功した。エネルギー障壁をこれまでの約半分に低減できるという。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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