Patentix は、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム (r-GeO2) 結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n 型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。 [続きを読む]