FLOSFIA が、「世界で初めて」(同社) 酸化ガリウム (α -Ga2O3) MOSFET でノーマリーオフ特性を有する 10A 超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p 層」(導電型 p 型半導体層) の改良に成功した。 [続きを読む]