東北大学と量子科学技術研究開発機構、英国ケンブリッジ大学らによる研究グループは、次世代半導体材料として注目されている一硫化スズ (SnS) について、大面積単結晶を成長させることに成功し、その結晶を単層の厚さに薄膜化する新たな手法を確立した。SnS 半導体はスピントロニクスデバイスなどへの応用が期待されている。 [続きを読む]