2025/06/11
フォトダイオードを SiC 上に接合、高出力テラヘルツデバイスを実現
OKI と NTT イノベーティブデバイスは共同で、異種材料接合によって高出力テラヘルツデバイスを高い歩留まりで量産できる技術を確立した。この技術を用い、6G や非破壊センシングに用いられるテラヘルツデバイスの量産を 2026 年より始める。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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