2025/06/11
高温環境下でオン抵抗 20% 減、東芝の SiC トレンチ MOSFET
東芝デバイス & ストレージ (東芝 D&S) は、高温環境下での動作が求められる電気自動車 (EV) や再生可能エネルギーなどの電力変換用途に向け、信頼性と効率の向上を可能にする「炭化ケイ素 (SiC) トレンチ MOSFET」と「SiC スーパージャンクションショットキーバリアダイオード (SJ-SBD)」を開発した。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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