業界ニュース

2024/10/17

アモルファス CrGT 薄膜で巨大な抵抗変化を観測

京都大学と東北大学の研究グループは、ポリイミド基板上に形成したアモルファス Cr2Ge2Te6 半導体 (CrGT) 薄膜が、約 6 万という極めて大きなゲージ率になることを発見した。これは他の半導体材料に比べ 2 桁以上も大きい値だという。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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