2024/10/17 シェア アモルファス CrGT 薄膜で巨大な抵抗変化を観測 京都大学と東北大学の研究グループは、ポリイミド基板上に形成したアモルファス Cr2Ge2Te6 半導体 (CrGT) 薄膜が、約 6 万という極めて大きなゲージ率になることを発見した。これは他の半導体材料に比べ 2 桁以上も大きい値だという。 [続きを読む] 提供元 : EE Times Japan