東北大学と慶應義塾大学、漢陽大学校 (韓国)、産業技術総合研究所 (産総研) らの研究グループは、クロム窒化物 (CrN) が高速な相変化によって電気抵抗が大きく変化することを発見した。CrN は環境に優しく動作電力を低減できることから、相変化メモリ (PCRAM) の情報記録材料として期待されている。 [続きを読む]