業界ニュース

2024/06/10

低次元超伝導体で SiC との界面に「カルシウム金属層」

東京工業大学と分子科学研究所の研究グループは、グラフェン - カルシウム化合物において、支持基板である SiC (炭化ケイ素) との界面にカルシウム金属層が形成されることを発見した。金属層の影響で超伝導転移温度が上昇するため、温度耐性に優れた量子コンピュータを実現できるとみている。 [続きを読む]
提供元 : EE Times Japan

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