FLOSFIA と JSR は、p 型半導体である酸化イリジウムガリウムの実用化に向け、新たなイリジウム系成膜材料を共同開発したと発表した。新材料は、FLOSFIA 製コランダム型酸化ガリウムパワー半導体「GaO」シリーズの第 2 世代ダイオードより適用する予定である。 [続きを読む]