九州大学と大阪大学および、産業技術総合研究所 (産総研) の研究グループは、化学気相成長 (CVD) 法を用い、大面積で均一な多層の「六方晶窒化ホウ素 (hBN)」を合成。これを用いるこで、大規模なグラフェンデバイスの特性を大きく向上させたという。 [続きを読む]