Applied Materials の 3D GAA (3 次元 Gate-All-Around) トランジスタ技術と EUV (極端紫外線) リソグラフィソリューションの最新ポートフォリオは、ムーアの法則による 2D (2 次元) スケーリングの限界に対処するために設計された。EUV による 2D スケーリングの拡張を熱望する半導体メーカーのために電力効率と性能、面積、コスト、市場投入までの期間 (PPACt:Power efficiency, Performance, Area, Cost, and time to market) を改善することを目指している。 [続きを読む]