東北大学はケンブリッジ大学と共同で、強磁性トンネル接合 (MTJ) 素子の障壁材料に、二次元物質の六方晶窒化ホウ素 (h-BN) を用いると、界面垂直磁気異方性が強化されることを発見した。また、極めて高い TMR (トンネル磁気抵抗) 比が現れることも明らかにした。 [続きを読む]